溅射靶相关论文
采用真空感应熔炼方法制备了半导体用NiCr溅射靶,并对其开展不同变形量下的热轧,分析了NiCr合金受到热轧作用后发生的组织形态变化......
通过仿真对比分析单圈、两圈、三圈磁场的靶材利用率,选取三圈磁场进行磁场强度优化,根据仿真结果优化设计了多圈磁场、磁棒组合磁......
为了研究真空环境设备内溅射靶温度升高后对30 cm离子推力器的热辐射影响,采用有限元分析的方法,首先对真空舱内的离子推力器羽流......
采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO（Indium Tin Oxide）靶相对密度达到97%～99%,并且靶电阻率小于3.0×10^-4Ω......
以Ge-SiO2和Si-SiO2复合靶作为溅射靶,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge-SiO2和Si-SiO2薄膜.然后分别在N2气氛......
本发明涉及高纯钽和舍有高纯钽的合金。钽金属优选具有至少99．995％的纯度，更优选具有至少99．999％的纯度。另外，本发明涉及钽金属及其舍金......
对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法,水溶液共沉淀法,电解法,溶胶-凝胶法,喷雾燃烧法,喷雾热分......
介绍了一种用于氧化物薄膜制备的射频离子束辅助溅射镀膜设备,阐述了设备原理、组成、特点以及试验结果。通过使用射频离子源和射......
本文介绍了同轴圆柱形磁控溅射源的换热计算方法，根据传热学原理对其换热情况做了分析，并对如何选择冷却水及有关靶结构的参数做了探......
对矩形溅射靶电磁场进行了仿真分析,优化设计,从而优化溅射靶表面电磁场分布,增大均匀沉膜区域范围,提高靶材利用率。......
阐述了两种真空法制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜的工艺原理和工艺过程,比较和分析了两工艺的优缺点;介绍了溅射靶材的熔融铸造法和粉末冶......
磁控溅射已成为工业镀膜生产中最重要的技术之一,尤其适合于大面积镀膜生产。磁场分布在整个溅射过程中起着至关重要的作用,其磁场......
本文研究了用于制作磁光盘的稀土─过渡族金属合金溅射靶材的制备工艺。制备了尺寸为Φ１００×３～５ｍｍ的ＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ和ＴｂＦｅＣｏ等稀土合金靶。对制备的铸态稀土......
